Forskjell mellom versjoner av «TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi»
(→Læringsressurser) |
|||
| Linje 31: | Linje 31: | ||
== Lenker == |
== Lenker == |
||
| − | === Læringsressurser === |
+ | === Læringsressurser/pensumlitteratur === |
*Læreboka ''Semiconductor Manufacturing Technology'' (av Quirk og Serda) |
*Læreboka ''Semiconductor Manufacturing Technology'' (av Quirk og Serda) |
||
| − | *Kompendium i form av utdrag fra ''Semiconductor Science'' (av Jenkins) |
+ | *Kompendium i form av utdrag fra ''Semiconductor Science'' (av Jenkins) |
| − | |||
=== Emnerapporter === |
=== Emnerapporter === |
||
Revisjonen fra 4. mai 2015 kl. 15:56
|
|
Innhold
Om emnet
Faglig innhold
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- og tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
Kurset inneholder:
- Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser (CMOS er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking.
- Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi).
- Halvleder heterostruktur og supergitter.
- Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder (XRD, RHEED, LEED), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (OM, SEM, TEM, STM, AFM).
Laboratoriekurs
Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av Hall-effekten. Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.
Anbefalte forkunnskaper
Emnet forventer kunnskap fra fysikk, matematikk og kjemi tilsvarende videreågende skole. Det er fordeltaktig å ha hatt emnet Materialteknologi TMT4185. Kjennskap til emnet Elektromagnetisme TFE4120 som er et emne i fagplanen for samme semester, er også nyttig.
Lenker
Læringsressurser/pensumlitteratur
- Læreboka Semiconductor Manufacturing Technology (av Quirk og Serda)
- Kompendium i form av utdrag fra Semiconductor Science (av Jenkins)
Emnerapporter
Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)
NTNUs sider om emnet
Emnet har ingen egen hjemmeside og bruker it'sLearning. (V2015)
