Forskjell mellom versjoner av «TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi»
| Linje 4: | Linje 4: | ||
*'''Vurderingsform''': Skriftlig 100% |
*'''Vurderingsform''': Skriftlig 100% |
||
*'''Hjelpemiddelkode:''' D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt. |
*'''Hjelpemiddelkode:''' D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt. |
||
| − | *'''Øvingsopplegg:''' Ukentlige skriftlige øvinger |
+ | *'''Øvingsopplegg:''' Ukentlige skriftlige øvinger og laboratoriekurs med rapportinnlevering. |
}} |
}} |
||
| Linje 16: | Linje 16: | ||
| − | + | Kurset inneholder: |
|
| + | |||
* Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. |
* Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. |
||
* Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). |
* Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). |
||
| Linje 23: | Linje 24: | ||
===Laboratoriekurs=== |
===Laboratoriekurs=== |
||
| + | Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av [http://en.wikipedia.org/wiki/Hall_effect Hall-effekten]. |
||
| + | Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret. |
||
| − | Kurset inneholder: |
||
=== Anbefalte forkunnskaper === |
=== Anbefalte forkunnskaper === |
||
| + | Emnet forventer kunnskap fra fysikk, matematikk og kjemi tilsvarende videreågende skole. Det er fordeltaktig å ha hatt emnet Materialteknologi [http://www.nanowiki.no/wiki/TMT4185 TMT4185]. og Kjennskap t emnet Elektromagnetisme [http://www.nanowiki.no/wiki/TFE4120 TFE4120] som er et emne i fagplanen for samme semester, er også nyttig. |
||
| − | |||
== Lenker == |
== Lenker == |
||
=== Læringsressurser === |
=== Læringsressurser === |
||
| + | *Læreboka ''Semiconductor Manufacturing Technology'' (av Quirk og Serda) |
||
| + | *Kompendium i form av utdrag fra ''Semiconductor Science'' (av Jenkins) |
||
=== Emnerapporter === |
=== Emnerapporter === |
||
| + | Utilgjengelig/finnes ikke (V2015) |
||
| − | |||
=== NTNUs sider om emnet === |
=== NTNUs sider om emnet === |
||
| + | Emnet har ingen egen hjemmeside og bruker it'sLearning. (V2015) |
||
| + | *[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180#tab=omEmnet Om emnet] |
||
| + | *[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180#tab=timeplan Timeplan] |
||
| + | *[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180#tab=omEksamen Eksamensinfo] |
||
[[Kategori:Obligatoriske emner]] |
[[Kategori:Obligatoriske emner]] |
||
| − | [[Kategori:Fag |
+ | [[Kategori:Fag 4. semester]] |
[[Kategori:Fag]] |
[[Kategori:Fag]] |
||
Revisjonen fra 4. mai 2015 kl. 15:01
'
|
|
Innhold
Om emnet
Faglig innhold
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
Kurset inneholder:
- Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser (CMOS er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking.
- Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi).
- Halvleder heterostruktur og supergitter.
- Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder (XRD, RHEED, LEED), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (OM, SEM, TEM, STM, AFM).
Laboratoriekurs
Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av Hall-effekten. Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.
Anbefalte forkunnskaper
Emnet forventer kunnskap fra fysikk, matematikk og kjemi tilsvarende videreågende skole. Det er fordeltaktig å ha hatt emnet Materialteknologi TMT4185. og Kjennskap t emnet Elektromagnetisme TFE4120 som er et emne i fagplanen for samme semester, er også nyttig.
Lenker
Læringsressurser
- Læreboka Semiconductor Manufacturing Technology (av Quirk og Serda)
- Kompendium i form av utdrag fra Semiconductor Science (av Jenkins)
Emnerapporter
Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)
NTNUs sider om emnet
Emnet har ingen egen hjemmeside og bruker it'sLearning. (V2015)
