Forskjell mellom versjoner av «TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi»
Fra Nanowiki
(→Rapporten) |
|||
| Linje 1: | Linje 1: | ||
| − | {{Infobox |
+ | '{{Infobox |
| + | | |
||
| − | |Fakta vår 2014 |
||
| + | |* '''Institutt''': Institutt for elektronikk |
||
| − | |*Fagansvarlig: Bjørn-Ove Fimland |
||
| ⚫ | |||
| − | *Foreleser: Saroj Kumar Patra |
||
| + | *'''Hjelpemiddelkode:''' D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt. |
||
| − | *Stud-ass: Maximilian Erlbeck og Theodor S. Holstad |
||
| + | *'''Øvingsopplegg:''' Ukentlige skriftlige øvinger |
||
| ⚫ | |||
| − | *Eksamensdato: 24.05.2011 |
||
}} |
}} |
||
| − | {{Infobox |
||
| − | |Øvingsopplegg vår 2014 |
||
| − | |* 8/12 godkjent |
||
| − | * Innleveringssted: Elektro A383 / It's Learning |
||
| − | }} |
||
| − | {{Infobox |
||
| − | |Lab vår 2014 |
||
| − | |* 4 labøkter |
||
| − | * Valg av tidspunkt og påmelding på it's learning |
||
| − | }} |
||
| ⚫ | |||
| − | Emnet skal formidle innsikt i halvleder tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter og integrerte kretser. |
||
| + | |||
| + | |||
| + | ===Faglig innhold=== |
||
| + | Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker |
||
| + | |||
| + | |||
| + | Faget inneholder: |
||
| + | * Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. |
||
| + | * Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). |
||
| + | *Halvleder heterostruktur og supergitter. |
||
| ⚫ | *Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]). |
||
| + | ===Laboratoriekurs=== |
||
| − | == Kort om faget == |
||
| ⚫ | |||
| ⚫ | |||
| − | Labben består av fire deler som går ut på å lage og måle en Hallbar. Teknikker som blir brukt er fotolitografi, mikroskop, elektronmikroskop, etsing, og måling av [http://en.wikipedia.org/wiki/Hall_effect Hall-effekten]. |
||
| + | Kurset inneholder: |
||
| − | === Rapporten === |
||
| − | Rapporten skal ha en vitenskapelig oppbygning (se eget dokument ''Report information'' om labrapporten i fagets mappe på It's Learning). Hele målet er finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. |
||
| − | I teorien bør man ha med ting som er relevante for den eksperimentelle delen. Dette kan både være Hall-teori og beskrivelser av prosesstrinnene som er nødvendige (fotolitografi, etsing, metallisering, osv.). Se forøvrig dokumentet ''Lab compendium'' for både teori og praktiske beskrivelser knyttet til labben. |
||
| − | Under eksperimentdelen er det viktig å få med fremgangsmåten i eksperimenten. Husk å få med viktige parametre, utstyr og andre ting som er nødvendige å vite dersom man skal gjenskape forsøket. |
||
| + | === Anbefalte forkunnskaper === |
||
| − | Under resultatdelen bør man ha med dimensjoner på hallbaren, en tabell over høydemålinger gjort med talysteppen, samt alle grafene du fikk fra målingene. |
||
| − | Feilkilder |
||
| + | == Lenker == |
||
| − | Det er viktig å ha med feilkilder som: loddingen og at varme kan ødelegge dopingen, og hvis dere så noe rart under inspeksjonen av hallbaren etter fotolitografien. |
||
| + | === Læringsressurser === |
||
| + | === Emnerapporter === |
||
| − | Se [[Rapport]] for mer info om hvordan skrive en vitenskapelig rapport. Tidligere rapportrer kan være nyttige til å hente innspirasjon om form og innhold.[[Medium:Halvlederteknologirapport.pdf | Her]] er en rapport skrevet i 2008. |
||
| − | ==== Tips ==== |
||
| − | * Det man ofte er mest interessert i er dopekonsentrasjon. Videre så er dopetype (n, p) interessant for dere, siden dere i utgangspunktet ikke vet hvilken som er hvilken. Videre så vil mobiliteten fortelle noe om kvaliteten på krystallen, så det er interessant å sammenligne denne med forventet verdi fra litteraturen, f.eks. [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html NSM Archive]. For beregning selv kan det være interessant å sammenligne dopekonsentrasjon og mobilitet med IV-kurven via <math>J=\sigma \cdot E</math>. Ellers er vel igrunnen de fleste verdiene allerede gitt av Hall-målingsprogrammet... |
||
| + | === NTNUs sider om emnet === |
||
| − | * r-parameteren er et tall for å relatere målt mobilitet (Hall-mobilitet) til faktisk mobilitet (og dermed driftshastigheten i materialet). Om man ikke vet hva denne er så er det best å sette den lik 1 og heller nevne det i teksten. |
||
| − | == Eksterne linker == |
||
| − | *[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180 NTNUs fagbeskrivelse] |
||
[[Kategori:Obligatoriske emner]] |
[[Kategori:Obligatoriske emner]] |
||
| − | [[Kategori:Fag |
+ | [[Kategori:Fag 1. semester]] |
[[Kategori:Fag]] |
[[Kategori:Fag]] |
||
Revisjonen fra 4. mai 2015 kl. 14:34
'
|
|
Innhold
Om emnet
Faglig innhold
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
Faget inneholder:
- Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser (CMOS er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking.
- Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi).
- Halvleder heterostruktur og supergitter.
- Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder (XRD, RHEED, LEED), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (OM, SEM, TEM, STM, AFM).
Laboratoriekurs
Kurset inneholder:
