Forskjell mellom versjoner av «TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi»
(→Om emnet) |
(→Faglig innhold) |
||
| (2 mellomliggende revisjoner av samme bruker vises ikke) | |||
| Linje 1: | Linje 1: | ||
{{Infobox |
{{Infobox |
||
| |
| |
||
| − | |* '''Institutt''': Institutt for elektronikk |
+ | |* '''Institutt''': Institutt for elektronikk og telekommunikasjon |
*'''Vurderingsform''': Skriftlig eksamen 100% |
*'''Vurderingsform''': Skriftlig eksamen 100% |
||
*'''Hjelpemiddelkode:''' D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt. |
*'''Hjelpemiddelkode:''' D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt. |
||
| Linje 17: | Linje 17: | ||
* Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. |
* Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser ([[CMOS]] er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, [[ioneimplantasjon]], fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking. |
||
* Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). |
* Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi). |
||
| − | *Halvleder heterostruktur og supergitter. |
||
*Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]). |
*Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]). |
||
| Linje 43: | Linje 42: | ||
*[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180#tab=omEksamen Eksamensinfo] |
*[http://www.ntnu.no/studier/emner/TFE4180#tab=omEksamen Eksamensinfo] |
||
| − | [[Kategori:Obligatoriske emner]] |
||
[[Kategori:Fag 4. semester]] |
[[Kategori:Fag 4. semester]] |
||
[[Kategori:Fag]] |
[[Kategori:Fag]] |
||
Nåværende revisjon fra 3. mai 2016 kl. 10:52
|
|
Innhold
Om emnet
Emnet ble undervist for siste gang våren 2016.
Faglig innhold
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- og tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
Kurset inneholder:
- Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser (CMOS er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking.
- Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi).
- Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder (XRD, RHEED, LEED), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (OM, SEM, TEM, STM, AFM).
Laboratoriekurs
Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av Hall-effekten. Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.
Anbefalte forkunnskaper
Emnet forventer kunnskap fra fysikk, matematikk og kjemi tilsvarende videregående skole. Det er fordeltaktig å ha hatt emnet Materialteknologi TMT4185. Kjennskap til emnet Elektromagnetisme TFE4120 som er et emne i fagplanen for samme semester, er også nyttig.
Læringsressurser/pensumlitteratur
- Læreboka Semiconductor Manufacturing Technology (av Quirk og Serda)
- Kompendium i form av utdrag fra Semiconductor Science (av Jenkins)
Lenker
Emnerapporter
Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)
NTNUs sider om emnet
Emnet har ingen egen hjemmeside og bruker it'sLearning. (V2015)
