http://nanowiki.no/index.php?action=history&feed=atom&title=Field-effect_transistor 2026-06-10T21:37:59Z Versjonshistorikk for denne siden på wikien MediaWiki 1.44.2 http://nanowiki.no/index.php?title=Field-effect_transistor&diff=978&oldid=prev 2008-12-17T09:02:41Z

<p>Ny side: Field-effect transistoren, eller FET, er en type transistor som baserer seg på en påsatt spenning ved Gate&#039;n for å styre konduktiviteten i det underliggende laget og dermed lede strøm m...</p> <p><b>Ny side</b></p><div>Field-effect transistoren, eller FET, er en type transistor som baserer seg på en påsatt spenning ved Gate&#039;n for å styre konduktiviteten i det underliggende laget og dermed lede strøm mellom Source og Drain. Den mest vanlige er MOSFET (metal-oxide semiconductor FET), men det finnes også JFET, MODFET, MESFET og mange, mange flere.<br /> <br /> == Oppbyggning ==<br /> <br /> Det er fem viktige punkter i en typisk MOSFET:<br /> <br /> *Well: Definerer det området til transistoren. Denne er enten p-dopet (overskudd av hull) eller n-dopet (overskudd av elektroner).<br /> <br /> *Source/Drain: To identiske områder med motsatt doping av well&#039;en. Det er her man setter på en spenning som man ønsker å kontrollere med gate-spenninga. Området mellom source og drain kalles channel og transistoren betegnes av hvilken type doping man har i dette området (motsatt av source/drain, samme som well)<br /> <br /> *Oxide: Isolerer gate&#039;n fra det underliggende materialet. I teorien skal det ikke gå noen strøm fra Source/drain til gate&#039;n. <br /> <br /> *Gate: Til denne kobles spenninga som skal styre den andre strømmen. Gjerne laget av polysilikon.<br /> <br /> *Substrate: Bunnen av heile driten. Er gjerne jorda og setter et nullpunkt for spenninga di.<br /> <br /> == Virkemåte ==<br /> <br /> Området mellom source og drain er i utgangspunktet ikke-ledende. <br /> <br /> *Enhancement mode: Når man setter på en gate-spenning (positiv for n-channel og negativ for p-channel) trekkes ladningsbærere opp fra dypet av well&#039;en, siden motsatte ladninger tiltrekkes av hverandre, og øker ledningsevnen i channel&#039;en. Antall ladningsbærere og dermed konduktiviteten, i channel&#039;en er proposjonal med spenningen på gate&#039;n, slik at jo større spenning man har på gate&#039;en, jo sterkere spenning får man ut fra drain&#039;en.<br /> <br /> *Depletion mode: Dersom man derimot setter på motsatt spenning av det som er tiltenkt for transistoren vil ladningsbærerene bli dyttet ned i dypet av well&#039;en, siden like ladninger frastøter hverandre. Dette gjør at konduktiviteten mellom source og drain blir tilnærmet lik null, helt til man setter på en så stor ladning at ladningsbærerene krysser oksid-laget og man får en såkalt breakdown.<br /> <br /> == Eksterne linker == <br /> <br /> [http://en.wikipedia.org/wiki/Field_effect_transistor FET på wikipedia]</div>

Alfpets