Forskjell mellom versjoner av «TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi»

Fra Nanowiki
Hopp til: navigasjon, søk
Linje 12: Linje 12:
 
===Faglig innhold===
 
===Faglig innhold===
 
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- og tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
 
Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- og tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker
 
   
 
Kurset inneholder:
 
Kurset inneholder:
Linje 20: Linje 19:
 
*Halvleder heterostruktur og supergitter.
 
*Halvleder heterostruktur og supergitter.
 
*Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]).
 
*Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder ([http://en.wikipedia.org/wiki/X-ray_crystallography XRD], [http://en.wikipedia.org/wiki/RHEED RHEED], [http://en.wikipedia.org/wiki/Low-energy_electron_diffraction LEED]), ionestråle-baserte teknikker ([http://en.wikipedia.org/wiki/Secondary_ion_mass_spectrometry SIMS]) og mikroskopi ([http://en.wikipedia.org/wiki/Optical_microscope OM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_Electron_Microscope SEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Transmission_electron_microscopy TEM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_tunneling_microscope STM], [http://en.wikipedia.org/wiki/Atomic_force_microscope AFM]).
 
   
 
===Laboratoriekurs===
 
===Laboratoriekurs===
 
Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av [http://en.wikipedia.org/wiki/Hall_effect Hall-effekten].
 
Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av [http://en.wikipedia.org/wiki/Hall_effect Hall-effekten].
 
Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.
 
Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.
 
   
 
=== Anbefalte forkunnskaper ===
 
=== Anbefalte forkunnskaper ===
Linje 35: Linje 32:
   
 
== Lenker ==
 
== Lenker ==
 
   
 
=== Emnerapporter ===
 
=== Emnerapporter ===
 
Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)
 
Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)
 
   
 
=== NTNUs sider om emnet ===
 
=== NTNUs sider om emnet ===

Revisjonen fra 4. mai 2015 kl. 19:36

  • Institutt: Institutt for elektronikk
  • Vurderingsform: Skriftlig eksamen 100%
  • Hjelpemiddelkode: D: Ingen trykte eller håndskrevne hjelpemidler tillatt. Bestemt, enkel kalkulator tillatt.
  • Øvingsopplegg: Ukentlige skriftlige øvinger og laboratoriekurs med rapportinnlevering.

Om emnet

Emnet er obligatorisk og er med i fagplanen for 4. semester.

Faglig innhold

Emnet skal formidle teoretisk innsikt i halvleder- og tynnfilmteknologi for fremstilling av elektroniske og fotoniske komponenter, og integrerte kretser. Emnet skal gi det teoretiske grunnlaget for å kunne gjøre fotolitografi og prosessering av halvlederkomponenter og CMOS integrerte kretser, samt det teoretiske grunnlaget for utvalgte karakteriseringsteknikker

Kurset inneholder:

  • Prosessering av halvlederkomponenter og integrerte kretser (CMOS er eksempelet i dette kurset): Filmdeponering, ioneimplantasjon, fotolitografi og avansert litografi, etsing, metallisering, trådbonding og pakking.
  • Krystallgroing fra smelte og epitaksielle deponeringsteknikker (dampfase-, væskefase- og molekylstråle-epitaksi).
  • Halvleder heterostruktur og supergitter.
  • Karakterisering av halvledere med elektriske målinger (resistivitet, mobilitet, dopekonsentrasjoner), diffraksjonsmetoder (XRD, RHEED, LEED), ionestråle-baserte teknikker (SIMS) og mikroskopi (OM, SEM, TEM, STM, AFM).

Laboratoriekurs

Laboratoriekurset består av fire oppmøter og går ut på å lage og måle egenskapene til en Hall-bar. Teknikker og utstyr som blir brukt er blant annet fotolitografi, optisk mikroskop, elektronmikroskop, etsing, metallisering og måling av Hall-effekten. Ved slutten av laboratoriekurset skal en rapport leveres. Rapporten skal reflektere labkursets overodnede mål om å finne dopetype og ladningsbærerkonsentrasjon. Videre kan man si noe om mobiliteten og hvordan denne gir et uttrykk for feil i krystallstrukturen. Rapporten skal ha vitenskapelig oppbygning og språk. Mer informasjon om retningslinjer for rapporten er angitt på emnets itsLearning-side for det aktuelle semesteret.

Anbefalte forkunnskaper

Emnet forventer kunnskap fra fysikk, matematikk og kjemi tilsvarende videregående skole. Det er fordeltaktig å ha hatt emnet Materialteknologi TMT4185. Kjennskap til emnet Elektromagnetisme TFE4120 som er et emne i fagplanen for samme semester, er også nyttig.

Læringsressurser/pensumlitteratur

  • Læreboka Semiconductor Manufacturing Technology (av Quirk og Serda)
  • Kompendium i form av utdrag fra Semiconductor Science (av Jenkins)

Lenker

Emnerapporter

Utilgjengelig/finnes ikke (V2015)

NTNUs sider om emnet

Emnet har ingen egen hjemmeside og bruker it'sLearning. (V2015)