Forskjell mellom versjoner av «TFE4177 - Halvlederfysikk med lab»
Fra Nanowiki
(→Om emnet) |
(→Om emnet) |
||
| Linje 8: | Linje 8: | ||
== Om emnet == |
== Om emnet == |
||
| − | Emnet tar over for både [[TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi]] og [[TFE4145 - Elektronfysikk]] og flyttes til 6. semester f.o.m. høsten 2016. |
+ | Emnet tar over for både [[TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi]] og [[TFE4145 - Elektronfysikk]] og flyttes til 6. semester f.o.m. høsten 2016 som obligatorisk emne for alle retninger. |
===Faglig innhold=== |
===Faglig innhold=== |
||
Nåværende revisjon fra 11. okt. 2016 kl. 20:00
|
|
Innhold
Om emnet
Emnet tar over for både TFE4180 - Halvleder komponent- og kretsteknologi og TFE4145 - Elektronfysikk og flyttes til 6. semester f.o.m. høsten 2016 som obligatorisk emne for alle retninger.
Faglig innhold
Emnet gir en detaljert innføring i de viktigste klasser av elektroniske halvlederkomponenter. Følgende tema behandles: p-n overganger, metall-halvleder kontakter, dioder, felteffekt transistor (MOSFET) og bipolar transistor. Emnet gir også en innføring i utvalgte deler av halvlederprosessering i renrom, som fotolitografi, etsing og metallisering.
Anbefalte forkunnskaper
Læringsressurser/pensumlitteratur
- Quirk og Serda: Semiconductor Manufacturing Technology
- B.G. Streetman and Sanjay Banerjee: Solid State Electronic Devices
