Ioneimplantasjon

Ioneimplantering er den vanligste metoden for å dope halvledere. Ved ioneimplantering oppnår man:

• God uniformitet
• God kontroll på konsentrasjon og penetrasjonsdybde
• Man kan implantere ioner gjennom tynne filmer (ex: oksid og nitrid-filmer).
• Man kan holde temperaturn lavere enn ved diffusjon, og dermed benytte seg av flere forskjellige masketyper (ex: fotoresist).
• Man oppnår stor renhet, iom. at uønskede og uladde ioner / atomer siles ut.
• Det er heller ingen metningsgrense for antall ioner.

Ulemper er at ioneimplantasjon skader krystallstrukturen, og utstyret er komplekst.

Ioneimplantering skjer i vakuum, og etter implantering varmebehandles waferen slik at de implanterte ionene "hopperpå plass" i gitteret.