Revisjonshistorikk for «Field-effect transistor»

Hopp til: navigasjon, søk

Valg av diff: merk i radioboksene de revisjonene du ønsker å sammenligne og trykk enter eller knappen nederst på siden.
Forklaring: (nå) = forskjell fra nåværende revisjon, (forrige) = forskjell fra foregående revisjon, m = mindre endring.

  • (nå | forrige) 17. des. 2008 kl. 10:02Alfpets (diskusjon | bidrag). . (2 211 byte) (+2 211). . (Ny side: Field-effect transistoren, eller FET, er en type transistor som baserer seg på en påsatt spenning ved Gate'n for å styre konduktiviteten i det underliggende laget og dermed lede strøm m...)