Forskjell mellom versjoner av «Deponeringsteknikker»
(→Liquid Phase Deposition) |
|||
| Linje 1: | Linje 1: | ||
Siden er under konstruksjon, og en del av prosjektet [[Bygging av biomolekyl og nanopartikkel-strukturer]] |
Siden er under konstruksjon, og en del av prosjektet [[Bygging av biomolekyl og nanopartikkel-strukturer]] |
||
| + | |||
==Liquid Phase Deposition== |
==Liquid Phase Deposition== |
||
| − | [[Bilde:Lpdfullerene.JPG|300px|thumb|right|'''Figur 1''' viser liquid phase deponering av silisiumdioksid i kontakt med fullerenol, C<math>_{\rm 60}</math>(OH)<math>_{\rm n}</math>(aka. "bucky- |
+ | [[Bilde:Lpdfullerene.JPG|300px|thumb|right|'''Figur 1''' viser liquid phase deponering av silisiumdioksid i kontakt med fullerenol, C<math>_{\rm 60}</math>(OH)<math>_{\rm n}</math>(aka. "bucky-sprit"). Resultatet er uniforme silicasfærer med en C<math>_{\rm 60}</math>-kjerne. <ref name="whitsitt">Elizabeth A. Whitsitt, Andrew R. Barron, "Silica coated fullerenols: seeded growth of silica spheres under acidic conditions" Chem. Commun., 2003, 1042 </ref>]] |
Liquid Phase Deposition (LPD) er en teknikk for å deponere tynnfilmer på substrater. Som navnet antyder bruker denne teknikken en væskefase i kontakt med substratet, og deponeringen skjer ved hjelp av kjemiske reaksjoner og påfølgende utfelling. Når man deponerer tynnfilmer med samme krystallstruktur som substratet den deponeres på kalles teknikken Liquid Phase Epitaxy (LPE). Andre viktige deponeringsteknikker i denne klassen er Vapour Phase Epitaxy (VPE) og Molecular Beam Epitaxy (MBE)<ref name="jenkins">Jenkins, Tudor E. "Semiconductor Science, Growth and characterization techniques, Prentice Hall International (UK) Limited, 1995, 65-80</ref>. |
Liquid Phase Deposition (LPD) er en teknikk for å deponere tynnfilmer på substrater. Som navnet antyder bruker denne teknikken en væskefase i kontakt med substratet, og deponeringen skjer ved hjelp av kjemiske reaksjoner og påfølgende utfelling. Når man deponerer tynnfilmer med samme krystallstruktur som substratet den deponeres på kalles teknikken Liquid Phase Epitaxy (LPE). Andre viktige deponeringsteknikker i denne klassen er Vapour Phase Epitaxy (VPE) og Molecular Beam Epitaxy (MBE)<ref name="jenkins">Jenkins, Tudor E. "Semiconductor Science, Growth and characterization techniques, Prentice Hall International (UK) Limited, 1995, 65-80</ref>. |
||
Revisjonen fra 31. mar. 2009 kl. 15:55
Siden er under konstruksjon, og en del av prosjektet Bygging av biomolekyl og nanopartikkel-strukturer
Liquid Phase Deposition
Liquid Phase Deposition (LPD) er en teknikk for å deponere tynnfilmer på substrater. Som navnet antyder bruker denne teknikken en væskefase i kontakt med substratet, og deponeringen skjer ved hjelp av kjemiske reaksjoner og påfølgende utfelling. Når man deponerer tynnfilmer med samme krystallstruktur som substratet den deponeres på kalles teknikken Liquid Phase Epitaxy (LPE). Andre viktige deponeringsteknikker i denne klassen er Vapour Phase Epitaxy (VPE) og Molecular Beam Epitaxy (MBE)<ref name="jenkins">Jenkins, Tudor E. "Semiconductor Science, Growth and characterization techniques, Prentice Hall International (UK) Limited, 1995, 65-80</ref>.
De termodynamiske kreftene som driver LPD kommer fra at løselighetsprodukter generelt synker for lavere temperaturer. Man kan dermed lage en supermettet løsning av stoffene som skal deponeres ved å varme opp løsningen slik at løselighetsproduktet øker. Deretter blir løsningen satt i kontakt med substratet, og en påfølgende kontrollert avkjøling av løsningen gir utfelling. På denne måten kan man få en kontrollert utfelling som legger seg som en tynnfilm på substratet.
Fordelene med LPD er blant annet at det er en enkel teknikk hvor man kan fremstille meget rene materialer, og den foregår ved rimelig lave temperaturer (ca. 800 grader for GaAs-lag). Ulempene er blant annet at groraten ikke er konstant og at det er vanskelig å oppnå en helt flat og homogen overflate<ref name="jenkins">Jenkins, Tudor E. "Semiconductor Science, Growth and characterization techniques, Prentice Hall International (UK) Limited, 1995, 65-80</ref>.
Referanser
<references/>
